SVHC (Особо Опасные Вещества)
  • No SVHC (15-Jun-2015)  (1)
  • No SVHC (17-Dec-2015)  (35)
  • To Be Advised  (95)
  • No SVHC (15-Jan-2018)  (2)
  • No SVHC (27-Jun-2018)  (9)
  • No SVHC (12-Jan-2017)  (5)
  • 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (15-Jan-2018)  (1)
  • No SVHC (14-Jun-2023)  (3)
  • No SVHC (10-Jun-2022)  (1)
Количество Выводов
  • 8вывод(-ов)  (45)
  • 16вывод(-ов)  (3)
  • 36вывод(-ов)  (1)
  • 32вывод(-ов)  (26)
  • 24вывод(-ов)  (14)
  • 48вывод(-ов)  (9)
  • 28вывод(-ов)  (46)
  • 44вывод(-ов)  (2)
  • 14вывод(-ов)  (3)
  • 34вывод(-ов)  (5)
Минимальная Рабочая Температура
  • -20°C  (5)
  • -40°C  (87)
  • 0°C  (59)
Максимальная Рабочая Температура
  • 125°C  (1)
  • 70°C  (63)
  • 85°C  (87)
Упаковка
  • Each  (3)
  • Поштучно  (115)
  • Разрезная Лента  (10)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
  • MSL 3 - 168 часов  (30)
  • -  (36)
  • MSL 2A - 4 недели  (1)
  • MSL 2 - 1 год  (1)
  • MSL 3 - 168 hours  (2)
  • MSL 1 - Безлимитный  (78)
Максимальное Напряжение Питания
  • 5.5В  (74)
  • 3.6В  (55)
  • 5.25В  (17)
  • 3.65В  (4)
  • 8В  (1)
Минимальное Напряжение Питания
  • 2.7В  (45)
  • 4.5В  (57)
  • 3В  (20)
  • 4.75В  (26)
  • 2В  (2)
  • 4В  (1)
Размер Памяти
  •  (1)
  • -  (2)
  • 1МБ  (3)
  • 24КБ  (1)
  • 2КБ  (1)
  • 64Кбит  (27)
  • 32Кбит  (1)
  • 256Кбит  (45)
  • 16Кбит  (24)
  • 4Кбит  (9)
  • 2Мбит  (1)
  • 4Мбит  (10)
  • 1Мбит  (21)
  • 128Кбит  (4)
  • 8Мбит  (1)
Тип Интерфейса ИС
  • SPI  (15)
  • Параллельный  (38)
  •  (1)
  • -  (57)
  • I2C  (28)
  • Последовательный, SPI  (3)
  • Parallel  (2)
  • 2-проводной, I2C, Последовательный  (3)
  • Bytewide  (3)
Время Доступа
  • -  (34)
  • 70нс  (27)
  • 45нс  (11)
  •  (1)
  • 100нс  (21)
  • 150нс  (9)
  • 120нс  (13)
  • 35нс  (1)
  • 25нс  (2)
  • 60нс  (1)
  • 85нс  (4)
  • 900нс  (2)
  • 200нс  (9)
  • 170нс  (1)
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
  • TSOP-II  (1)
  • TSOP  (7)
  • SOIC  (38)
  • SOT-23  (1)
  • TSSOP  (4)
  • DIP  (24)
  • SOP  (13)
  •  (1)
  • DFN  (1)
  • TDFN  (2)
  • QFP  (1)
  • EDIP  (48)
  • PWRCP  (4)
  • SSOP  (4)
  • QFN  (1)
  • SOH  (1)
Конфигурация Памяти NVRAM
  • 8К x 8бит  (24)
  • 512 x 8бит  (9)
  • 32К x 8бит  (46)
  • 2К x 8бит  (25)
  • 128К x 8бит  (21)
  • 16К x 8бит  (4)
  • 512К x 8бит  (8)
  • 256К x 16бит  (1)
  •  (1)
  • 1М x 8 бит  (1)
  • 128K x 8bit  (1)
  • 4К x 8бит  (1)
  • -  (4)
  • 64К x 16бит  (1)
  • 256К x 8бит  (1)
  • 8K x 8bit  (2)
  • 512K x 16бит  (1)
найдено 154 результата
Сбросить фильтр Применить

Энергонезависимая RAM

Найдено товаров: 154
  Изображение Маркировка / Производитель Минимальная партия Доступно Цена с НДС
FM24CL16B-G FM24CL16B-G
1 шт. 38244 шт. от 322.38 ₽
MB85RS64PNF-G-JNE1 MB85RS64PNF-G-JNE1
1 шт. 20754 шт. от 443.87 ₽
FM25W256-G FM25W256-G
1 шт. 14428 шт. от 1559.99 ₽
FM25CL64B-G FM25CL64B-G
1 шт. 2993 шт. от 750.39 ₽
FM24W256-G FM24W256-G
1 шт. 2368 шт. от 1194.18 ₽
MB85RC64PNF-G-JNE1 MB85RC64PNF-G-JNE1
1 шт. 2179 шт. от 526.46 ₽
FM24C16B-G FM24C16B-G
1 шт. 1517 шт. от 422.85 ₽
MB85RC04VPNF-G-JNE1 MB85RC04VPNF-G-JNE1
1 шт. 1329 шт. от 164.93 ₽
FM24C64B-G FM24C64B-G
1 шт. 1022 шт. от 683.59 ₽
FM24CL04B-G FM24CL04B-G
1 шт. 971 шт. от 376.51 ₽
M48Z08-100PC1 M48Z08-100PC1
1 шт. 695 шт. от 4291.98 ₽
FM28V100-TG FM28V100-TG
1 шт. 381 шт. от 4261.03 ₽
FM16W08-SG FM16W08-SG
1 шт. 236 шт. от 1186.66 ₽
DS1245Y-70+ DS1245Y-70+
1 шт. 230 шт. от 10308.27 ₽
M48Z02-150PC1 M48Z02-150PC1
1 шт. 179 шт. от 2731.58 ₽
M48Z35Y-70PC1 M48Z35Y-70PC1
1 шт. 155 шт. от 4341.48 ₽
FM24CL64B-G FM24CL64B-G
MB85RS256APNF-G-JNE1 MB85RS256APNF-G-JNE1
MB85RC16PNF-G-JNE1 MB85RC16PNF-G-JNE1
FM33256B-G FM33256B-G
Новые поступления
ERJ3EKF6800V
от 1.65 ₽
SMD чип резистор, толстопленочный, Серия AEC-Q200 ERJ, 680 Ом, 75 В, 0603 [1608 Метрический]
1-480710-0
от 93.37 ₽
Корпус разъема, Universal MATE-N-LOK Series, Штекер, 15 вывод(-ов), 6.35 мм
RC0603FR-078M2L
от 0.47 ₽
SMD чип резистор, толстопленочный, Серия RC, 8.2 МОм, 50 В, 0603 [1608 Метрический], 100 мВт, ± 1%
RC1206JR-07330RL
от 0.99 ₽
SMD чип резистор, толстопленочный, Серия RC, 330 Ом, 200 В, 1206 [3216 Метрический], 250 мВт, ± 5%