FM28V100-TG

Запросить




FM28V100-TG характеристики

IC, FRAM, 1MB, 128KX8, 60NS, TSOP32.



The FM28V100-TG is a 1MB F-RAM Nonvolatile Memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile, which means that data is retained after power is removed. It provides data retention for over 151 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages and system design complexities of battery-backed SRAM. Fast write timing and high write endurance make the F-RAM superior to other types of memory. The FM28V100 operation is similar to that of other RAM devices and therefore, it can be used as a drop-in replacement for a standard SRAM in a system. Read and write cycles may be triggered by chip enable or simply by changing the address. The F-RAM memory is nonvolatile due to its unique ferroelectric memory process. These features make the FM28V100 ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes.

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Ничего не выбрано
Количество Выводов 32вывод(-ов)
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Упаковка Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) -
Максимальное Напряжение Питания 3.6В
Минимальное Напряжение Питания
Размер Памяти 1Мбит
Тип Интерфейса ИС Параллельный
Время Доступа 60нс
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти TSOP
Конфигурация Памяти NVRAM 128К x 8бит

Техническое описание

Вы можете купить FM28V100-TG от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену FM28V100-TG и наличие сообщим по вашему запросу.