Особенности
Архитектура Ядра
Подархитектура Ядра
Применение Программного Обеспечения
Поддерживаемые Семейства
Модель Лицензии
найдено 23 результата
Сбросить фильтр Применить

Программные Стеки Связи 23

Найдено товаров: 23
Внешний вид Номер / Производитель Минимальная партия Цена с НДС
7.50.02 EMBOS/IPPROBNDLADDSEAT 1 шт. от 200257.9₽
9.50.02 EMUSBDEVPROBNDLADDSEAT 1 шт. от 100129.46₽
9.50.04 EMUSB DEVPRO BUNDL SSL ASIA 1 шт. от 355438.92₽
9.55.02EMUSBHOSTPROBNDLADDSEAT 1 шт. от 172730.07₽
9.55.04 EMUSB HOSTPROBUNDL SSL ASIA 1 шт. от 552147.63₽
14.00.04 EMMODBUS MASTER SSL 1 шт. от 228062.69₽
14.01.04 EMMODBUS SLAVE SSL 1 шт. от 228062.69₽
MBX-MBMX-SERIAL-P-P1 1 шт. от 394530.37₽
MBX-MBMX-SERIAL-P-P1 1 шт. от 394530.37₽
Новые поступления
SMD чип резистор, толстопленочный, Серия MC, 205 Ом, 50 В, 0603 [1608 Метрический], 63 мВт, ± 1%
SMD чип резистор, толстопленочный, Серия AEC-Q200 ERJ, 1.5 МОм, 200 В, 1210 [3225 Метрический]
SMD электролитический конденсатор, Radial Can - SMD, 47 мкФ, 63 В, Серия AEC-Q200 FK
SMD чип резистор, тонкопленочный, Серия RN73, 51.1 кОм, 100 В, 0805 [2012 Метрический], 100 мВт
Защитное устройство от ЭСР, TVS, 11 В, SOT-23, 3 вывод(-ов), 5 В
SILICON SERIAL NUMBER, TSOC-6
CONTACT, PIN, 26-22AWG, CRIMP
Фиксированный стабилизатор с малым падением напряжения, 4.4В до 45В, 250мВ, 3.3В, 150мА, SOIC-8
Силовой диод быстрого действия, Одиночный, 600 В, 6 А, 1.8 В, 40 нс, 90 А
LIMIT SWITCH, SIDE ROTARY, SPDT-1NO/1NC
Батарея, круглая, одноэлементная, Оксид Серебра, 16 мАч, 1.55 В, SR63, Контакты Давления, 5.8 мм
SMD чип резистор, толстопленочный, Серия MC, 3.6 Ом, 50 В, 0603 [1608 Метрический], 63 мВт, ± 1%
Универсальное реле, серия G2RL, силовое, без защелки, SPDT, 24В DC, 12А
INDUCTOR, DD 1260, 100UH 20%, 1.5A
Многослойный керамический конденсатор, 1206 [3216 Метрический], 1000 пФ, 2 кВ, ± 10%, X7R
MICRO SW, PIN PLUNGER, SPST-NO, 15A 250V