Особенности
Архитектура Ядра
Подархитектура Ядра
Применение Программного Обеспечения
Поддерживаемые Семейства
Модель Лицензии
найдено 6 результатов
Сбросить фильтр Применить
Новые поступления
POWER SUPPLY, AC-DC, 30.5V, 3A
Изолированный DC/DC преобразователь, низкий профиль, 3Вт, 15В, 100мА, -15В, 100мА
HOUSING, RECEPTACLE, 1POS
TVS-диод, TVS, Серия Trisil SMP75, Двунаправленный, 6 В, DO-214AA, 2 вывод(-ов)
Высокочастотный индуктор SMD, Серия 0603HC, 15 нГн, ± 2%, 0603 [1608 Метрический], 2.8 ГГц, 0.08 Ом
Многослойный керамический конденсатор, 0805 [2012 Метрический], 0.047 мкФ, 50 В, ± 5%, X7R
DC POWER SUPPLY, 1-CH, 30V, 10A, PROG
CARBON RESISTOR, 6.8KOHM, 250mW, 5%
Корпус разъема, Серия Junior Power Timer, Штекер, 10 вывод(-ов), 5 мм, Timer Series Contacts
МЭМС акселерометр, Трехосевой, Аналоговый, X, Y, Z, ± 2g, ± 6g, 2.4 В, 3.6 В, LGA
Оптопара с транзисторным выходом, 2 канала, SOIC, 8 вывод(-ов), 30 мА, 4 кВ, 63 %
Многослойный керамический конденсатор, 0603 [1608 Метрический], 330 пФ, 100 В, ± 10%, X7R
Многослойный керамический конденсатор, универсальный, 0603 [1608 Метрический], 200 пФ, 50 В, ± 10%
Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм, 4.7 кОм, 1 соотношение, SOT-23
Высокочастотный индуктор SMD, Серия 0805HT, 100 нГн, ± 5%, 0805 [2012 Метрический], 1.2 ГГц
CIRCULAR STRAIN RELIEF, SIZE 16 ALUMINIUM
Провод, Зеленый, 1 мм?, 32 x 0.2мм, 328.084 фут, 100 м
SMD чип резистор, толстопленочный, Серия MCWR, 110 кОм, 50 В, 0402 [1005 Метрический], 62.5 мВт
SMD чип-резистор, толстопленочный, серия AEC-Q200 WCR, 390Ом, 200В, 1206 [3216 метрич.], 250мВт
SMD чип резистор, тонкопленочный, Серия PCF, 3.65 кОм, 100 В, 0805 [2012 Метрический], 100 мВт
Токочувствительный усилитель, 1 Усилитель, 5 мкА, µMAX, 8 вывод(-ов), -40 °C, 125 °C
POWER TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-225
STEP-DOWN VOLTAGE REGULATOR, TO-263
TERMINAL, WIRE TAP/SPLICE, CRIMP, BROWN