FM16W08-SG

Запросить




FM16W08-SG характеристики

FRAM, 64K, PARALLEL, 28SOIC.



The FM16W08-SG is a 64kB wide voltage nonvolatile byte wide F-RAM Memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile, which means that data is retained after power is removed. It provides data retention for over 151 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages and system design complexities of battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing and high write endurance make the F-RAM superior to other types of memory. The FM16W08 operation is similar to that of other RAM devices and therefore, it can be used as a drop-in replacement for a standard SRAM in a system. Minimum read and write cycle times are equal. The F-RAM memory is nonvolatile due to its unique ferroelectric memory process and it also features 2.7 to 5.5V wide operating voltage. These features make the FM16W08 ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes.

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Ничего не выбрано
Количество Выводов 28вывод(-ов)
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Упаковка Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Максимальное Напряжение Питания 5.5В
Минимальное Напряжение Питания 2.7В
Размер Памяти 64Кбит
Тип Интерфейса ИС Параллельный
Время Доступа 70нс
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти SOIC
Конфигурация Памяти NVRAM 8К x 8бит

Вы можете купить FM16W08-SG от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену FM16W08-SG и наличие сообщим по вашему запросу.