IGLD60R070D1AUMA1
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.
По запросу
IGLD60R070D1AUMA1 характеристики
МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 600 В, 0.055 Ом, 1.2 В Новинка.
Infineon launches a GaN enhancement mode high electron mobility transistor (e?mode HEMT) portfolio with industry?leading field performance, enabling rugged and reliable systems at an attractive overall system cost. CoolGaN™ transistors are built with the most reliable GaN technology and are tailor?made to deliver the market's highest efficiency and density levels in switched mode power supplies. The application?based qualification approach extends beyond that of other GaN products in the market.
Вы можете купить IGLD60R070D1AUMA1 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.
Цену IGLD60R070D1AUMA1 и наличие сообщим по вашему запросу.