Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 650 В, 10 А, 25 нКл, TO-252 Новинка.
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
FFSD1065B-F085 скачать
Вы можете купить FFSD1065B-F085 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.
Доступно на складе 1146 штук. Цена FFSD1065B-F085 зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 821.1 руб.
FFSD1065B-F085
Отправить заявку
Альтернативное предложение
