STPSC20H12GY-TR

Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.

STPSC20H12GY-TR характеристики

Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 1.2 кВ, 38 А, 129 нКл, TO-252.

The Schottky Silicon-Carbide Diodes from STMicroelectronics take advantage of SiC's impressive performance over standard Silicon. Offering double or triple the bandgap in comparison to silicon means that SIC devices can tolerate much higher voltages and electric fields. The low reverse recovery characteristics increase efficiency in all systems thanks to their low forward voltage and make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings. These savings are found in SMPS applications as well as solar energy conversion, EV or HEV charging stations, and many more. The product ranges from 600V to 1200Vin through hole and SMD packages.

подробнее

Конфигурация Диода	Одиночный	Ничего не выбрано
Максимальное Значение Напряжения Vrrm	1.2кВ
Постоянный Прямой Ток If	38А
Полный Емкостной Заряд Qc	129нКл
Стиль Корпуса Диода	TO-252
Количество Выводов	3 Вывода
Максимальная Температура Перехода Tj	175°C
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Вес	1.45г
SVHC (Особо Опасные Вещества)	To Be Advised

Техническое описание

STPSC20H12GY-TR скачать
Pdf, 5.44 KB

Вы можете купить STPSC20H12GY-TR от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 563 штук. Цена STPSC20H12GY-TR зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 2629.04 руб.