SI4286DY-T1-GE3

Доступно
По запросу
Срок поставки
Производитель

По запросу

Запросить


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


SI4286DY-T1-GE3 характеристики

Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 7 А, 40 В, 0.027 Ом, 10 В, 2.5 В.




SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Ничего не выбрано
Вес 0.1г
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора SOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность 2.9Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.027Ом
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Полярность Транзистора Двойной N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.5В
Непрерывный Ток Стока
Линейка Продукции TrenchFET Series

Вы можете купить SI4286DY-T1-GE3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену SI4286DY-T1-GE3 и наличие сообщим по вашему запросу.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры
Сопутствующие товары
Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 9.2 А, 40 В, 0.0165 Ом, 10 В, 1.2 В
от 139.14 ₽
+66 на ваш счёт
Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 9.2 А, 40 В, 0.0165 Ом, 10 В, 1.2 В
от 139.14 ₽
+66 на ваш счёт