IRS2101SPBF

Доступно
2428 шт
Срок поставки
4 недели
Цена
включает НДС
Производитель
Количество
Цена ₽/шт


  • 1+ 455.07
  • 10+ 335.18
  • 95+ 273.5
  • 190+ 261.12

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 455.07 ₽

+
-
В корзину


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


IRS2101SPBF характеристики

Двойной драйвер, высокой стороны и низкой стороны, питание 10В-20В, 600мА, задержка 150нс, SOIC-8.



The IRS2101SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output and down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.

подробнее

Конфигурация Привода Высокая Сторона и Низкая Сторона
Ничего не выбрано
Пиковый Выходной Ток 600мА
Минимальное Напряжение Питания 10В
Максимальное Напряжение Питания 20В
Стиль Корпуса Привода SOIC
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Задержка по Входу 160нс
Задержка Выхода 150нс
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Упаковка Поштучно
Линия Продукции -
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 2 - 1 год

Техническое описание

Вы можете купить IRS2101SPBF от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 2428 штук. Цена IRS2101SPBF зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 261.12 руб.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры
Сопутствующие товары
Переходник, SMD, стеклоэпоксидный композит, 1.5мм, 8мм x 20.5мм
от 1021.24 ₽
+173 на ваш счёт