Отправить заявку
Доступно
По запросу
Срок поставки
По запросу
Производитель
IR2112PBF
Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.
Альтернативное предложение
Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽
IR2112PBF характеристики
Двойной драйвер, высокой стороны и низкой стороны, питание 10В-20В, 420мА, задержка 105нс, DIP-14.
The IR2112PBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
подробнее
Техническое описание
IR2112PBF скачать
Pdf, 6.41 KB
Вы можете купить IR2112PBF от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.
Цену IR2112PBF и наличие сообщим по вашему запросу.
Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры
Сопутствующие товары
ИС и гнездо компонента, Серия 2227MC, Гнездо DIP, 14 контакт(-ов), 2.54 мм, 7.62 мм
от 69.28 ₽
+108 на ваш счёт
