IR2117SPBF

Доступно
6582 шт
Срок поставки
4 недели
Цена
включает НДС
Производитель
Количество
Цена ₽/шт


  • 1+ 284.13
  • 10+ 210.44
  • 100+ 210.21
  • 3800+ 209.98

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 284.13 ₽

+
-
В корзину


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


IR2117SPBF характеристики

ИС МОП-транзистора, высокой стороны, питание 10В-20В, 500мА на выходе, задержка 105нс, SOIC-8.



The IR2117SPBF is a single-channel Power MOSFET and IGBT Driver features proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enables ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high or low-side configuration which operates up to 600V.

подробнее

Конфигурация Привода Высокая Сторона
Ничего не выбрано
Пиковый Выходной Ток 500мА
Минимальное Напряжение Питания 10В
Максимальное Напряжение Питания 20В
Стиль Корпуса Привода SOIC
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Задержка по Входу 125нс
Задержка Выхода 105нс
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Упаковка Поштучно
Линия Продукции -
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 2 - 1 год

Техническое описание

Вы можете купить IR2117SPBF от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 6582 штук. Цена IR2117SPBF зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 209.98 руб.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры
Сопутствующие товары
Переходник, SMD, стеклоэпоксидный композит, 1.5мм, 8мм x 20.5мм
от 1455.3 ₽
+436 на ваш счёт