IR2117SPBF
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке и получить баллы.
- 1+ 284.13
- 10+ 210.44
- 100+ 210.21
- 3800+ 209.98
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 284.13 ₽
IR2117SPBF характеристики
ИС МОП-транзистора, высокой стороны, питание 10В-20В, 500мА на выходе, задержка 105нс, SOIC-8.
The IR2117SPBF is a single-channel Power MOSFET and IGBT Driver features proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enables ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high or low-side configuration which operates up to 600V.
Техническое описание
- IR2117SPBF скачать
Pdf, 7.2 KB
Вы можете купить IR2117SPBF от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.
Доступно на складе 6582 штук. Цена IR2117SPBF зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 209.98 руб.