IR2112SPBF

Доступно
2751 шт
Срок поставки
4 недели
Цена
включает НДС
Производитель
Количество
Цена ₽/шт


  • 1+ 802.01
  • 10+ 606.95
  • 45+ 532.42
  • 135+ 500.4

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 802.01 ₽

+
-
В корзину


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


IR2112SPBF характеристики

Двойной драйвер, высокой стороны и низкой стороны, питание 10В-20В, 420мА, задержка 105нс, SOIC-16.



The IR2112SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.

подробнее

Конфигурация Привода Высокая Сторона и Низкая Сторона
Ничего не выбрано
Пиковый Выходной Ток 420мА
Минимальное Напряжение Питания 10В
Максимальное Напряжение Питания 20В
Стиль Корпуса Привода SOIC
Количество Выводов 16вывод(-ов)
Задержка по Входу 125нс
Задержка Выхода 105нс
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Упаковка Поштучно
Линия Продукции -
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3 - 168 часов

Техническое описание

Вы можете купить IR2112SPBF от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 2751 штук. Цена IR2112SPBF зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 187650 руб.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры
Сопутствующие товары
Переходник, SMD, стеклоэпоксидный композит, 1.5мм, 13.5мм x 20.5мм
от 1138.5 ₽
+193 на ваш счёт