IR2110SPBF



Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


IR2110SPBF характеристики

Двойной драйвер, высокой стороны и низкой стороны, питание 10В-20В, 2.5А, задержка 94нс, SOIC-16.



The IR2110SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output and down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 500 or 600V.

подробнее

Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Количество Выводов 16вывод(-ов)
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Упаковка Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3 - 168 часов
Максимальное Напряжение Питания 20В
Минимальное Напряжение Питания 10В
Стиль Корпуса Привода SOIC
Конфигурация Привода Высокая Сторона и Низкая Сторона
Задержка по Входу 120нс
Задержка Выхода 94нс
Пиковый Выходной Ток 2.5А

Техническое описание

Вы можете купить IR2110SPBF от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 596 штук. Цена IR2110SPBF зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 872.85 руб.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры
Сопутствующие товары
Переходник, SMD, стеклоэпоксидный композит, 1.5мм, 13.5мм x 20.5мм
от 1044.12 ₽
+177 на ваш счёт