GD600HFY120C2S

Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.

GD600HFY120C2S характеристики

БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 1 кА, 2 В, 3.409 кВт, 1.2 кВ, Module Новинка.

Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

подробнее

Полярность Транзистора	Двойной N Канал	Ничего не выбрано
DC Ток Коллектора	1кА
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	2В
Рассеиваемая Мощность	3.409кВт
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Количество Выводов	11вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Вес	30г
SVHC (Особо Опасные Вещества)	No SVHC (27-Jun-2018)

Вы можете купить GD600HFY120C2S от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену GD600HFY120C2S и наличие сообщим по вашему запросу.

Похожие товары

Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры