GD200HFY120C2S

Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.

Доступно

6 шт

Срок поставки

4 недели

Цена

включает НДС

Производитель

STARPOWER

Количество

Цена ₽/шт

1+ 23333.04
5+ 22436.04
10+ 20705.52
50+ 20484.72

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 23333.04 ₽

Авторизуйтесь и получите кэшбэк 3499 баллов

В корзину

Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽

GD200HFY120C2S характеристики

БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 309 А, 2 В, 1.006 кВт, 1.2 кВ, Module Новинка.

Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества)	No SVHC (27-Jun-2018)	Ничего не выбрано
Вес	30г
Количество Выводов	11вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Рассеиваемая Мощность	1.006кВт
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
DC Ток Коллектора	309А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	2В
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ

Вы можете купить GD200HFY120C2S от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 6 штук. Цена GD200HFY120C2S зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 20484.72 руб.

Похожие товары

Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры