GD150HFY120C1S

Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.

GD150HFY120C1S характеристики

БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 230 А, 2 В, 746 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка.

Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

подробнее

Полярность Транзистора	Двойной N Канал	Ничего не выбрано
DC Ток Коллектора	230А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	2В
Рассеиваемая Мощность	746Вт
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Количество Выводов	7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Вес	30г
SVHC (Особо Опасные Вещества)	No SVHC (27-Jun-2018)

Вы можете купить GD150HFY120C1S от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену GD150HFY120C1S и наличие сообщим по вашему запросу.

Похожие товары

Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры