MD200HFR120C2S

Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.

Доступно

2 шт

Срок поставки

4 недели

Цена

включает НДС

Производитель

STARPOWER

Количество

Цена ₽/шт

1+ 169270.8

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 169270.8 ₽

Авторизуйтесь и получите кэшбэк 25390 баллов

В корзину

Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽

MD200HFR120C2S характеристики

МОП-транзистор, Silicon Carbide, Двойной N Канал, 299 А, 1.2 кВ, 0.0067 Ом, 18 В, 5.6 В Новинка.

Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества)	To Be Advised	Ничего не выбрано
Вес	5г
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0067Ом
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Напряжение Измерения Rds(on)	18В
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	5.6В
Непрерывный Ток Стока	299А

Вы можете купить MD200HFR120C2S от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 2 штук. Цена MD200HFR120C2S зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 169270.8 руб.

Похожие товары

Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры