MD120HFR120C2S

Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.

MD120HFR120C2S характеристики

МОП-транзистор, Silicon Carbide, Двойной N Канал, 200 А, 1.2 кВ, 0.01 Ом, 18 В, 5.6 В Новинка.

Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества)	No SVHC (27-Jun-2018)	Ничего не выбрано
Вес	5г
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.01Ом
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Напряжение Измерения Rds(on)	18В
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	5.6В
Непрерывный Ток Стока	200А

Вы можете купить MD120HFR120C2S от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену MD120HFR120C2S и наличие сообщим по вашему запросу.

Похожие товары

Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры