4N25SR2VM

Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке и получить баллы.

Доступно

По запросу

Срок поставки

Производитель

ON SEMICONDUCTOR

По запросу

Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽

4N25SR2VM характеристики

Оптопара, 1 канал, Поверхностный Монтаж DIP, 6 вывод(-ов), 60 мА, 4.17 кВ, 20 % Новинка.

The 4N25SR2VM is a 6-pin general purpose Phototransistor Optocoupler consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor. It is suitable for digital logic inputs and microprocessor inputs.

850V Maximum working insulation voltage
6000V Highest allowable over-voltage
-40 to +100°C Operating temperature range

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества)	No SVHC (27-Jun-2018)	Ничего не выбрано
Вес	1.18г
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Максимальный Прямой Ток	60мА
Напряжение Изоляции	4.17кВ
Количество Каналов	1 канал
Стиль Корпуса Оптопары	Поверхностный Монтаж DIP
Мин. CTR	20%
Напряжение Коллектор-Эмиттер	30В

Техническое описание

4N25SR2VM скачать
Pdf, 5.25 KB

Вы можете купить 4N25SR2VM от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену 4N25SR2VM и наличие сообщим по вашему запросу.

Похожие товары

Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры