FDC658P от 73.50 рублей со склада от 7 дней, по запросу производства ON SEMICONDUCTOR

МОП-транзистор, P Канал, -4 А, -30 В, 0.041 Ом, -10 В, -1.7 В Новинка.

The FDC658P is a logic level single P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion.

High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
8nC Typical low gate charge

SVHC (Особо Опасные Вещества)	No SVHC (27-Jun-2018)	Ничего не выбрано
Вес	0.02г
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Стиль Корпуса Транзистора	SuperSOT
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность	1.6Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.041Ом
Напряжение Истока-стока Vds	-30В
Напряжение Измерения Rds(on)	-10В
Полярность Транзистора	P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	-1.7В
Непрерывный Ток Стока	-4А
Линейка Продукции	PowerTrench Series

FDC658P

FDC658P характеристики