FDC6303N от 50.40 рублей со склада от 7 дней, по запросу производства ON SEMICONDUCTOR

Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 680 мА, 25 В, 0.33 Ом, 4.5 В, 800 мВ Новинка.

The FDC6303N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this one N-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMHxA series.

Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
Gate-source Zener for ESD ruggedness
Replace multiple NPN digital transistors (IMHxA series) with one DMOS FET
8V Gate-source voltage
0.68A Continuous drain/output current
2A Pulsed drain/output current

SVHC (Особо Опасные Вещества)	No SVHC (27-Jun-2018)	Ничего не выбрано
Вес	2.27кг
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Стиль Корпуса Транзистора	SuperSOT
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность	900мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.33Ом
Напряжение Истока-стока Vds	25В
Напряжение Измерения Rds(on)	4.5В
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	800мВ
Непрерывный Ток Стока	680мА

FDC6303N

FDC6303N характеристики

Техническое описание