FDS6875 от 102.90 рублей со склада от 7 дней, по запросу производства ON SEMICONDUCTOR

Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -6 А, -20 В, 0.024 Ом, -4.5 В, -800 мВ Новинка.

The FDS6875 is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench™ process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for portable electronics like load switching, battery charging and protection circuits applications.

Low gate charge
High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
High power and current handling capability
±8V Gate to source voltage
-6A Continuous drain current
-20A Pulsed drain current

SVHC (Особо Опасные Вещества)	No SVHC (27-Jun-2018)	Ничего не выбрано
Вес	1.13г
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Стиль Корпуса Транзистора	SOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность	2Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.024Ом
Напряжение Истока-стока Vds	-20В
Напряжение Измерения Rds(on)	-4.5В
Полярность Транзистора	Двойной P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	-800мВ
Непрерывный Ток Стока	-6А
Линейка Продукции	PowerTrench Series

FDS6875

FDS6875 характеристики

Техническое описание