8 (800)  200-43-23 Перезвоните мне
Корзина
Нет товаров
Поиск товаров, например: 0402WGJ0102TCE
Отправить заявку

FQT13N06LTF



Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.

Запросить


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


FQT13N06LTF характеристики

МОП-транзистор, N Канал, 2.8 А, 60 В, 0.088 Ом, 10 В, 2.5 В Новинка.



The FQT13N06LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

  • 100% Avalanche tested
  • 4.8nC Typical low gate charge
  • 17pF Typical low Crss

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Ничего не выбрано
Вес 0.19г
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора SOT-223
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность 2.1Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.088Ом
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.5В
Непрерывный Ток Стока 2.8А

Техническое описание

Вы можете купить FQT13N06LTF от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену FQT13N06LTF и наличие сообщим по вашему запросу.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры