FDC608PZ от 35.70 рублей со склада от 7 дней, по запросу производства ON SEMICONDUCTOR

МОП-транзистор, P Канал, -5.8 А, -20 В, 0.026 Ом, -4.5 В, -1 В Новинка.

The FDC608PZ is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for battery power, load switching, battery power circuits and DC-to-DC conversion applications.

Low gate charge
High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)

SVHC (Особо Опасные Вещества)	No SVHC (27-Jun-2018)	Ничего не выбрано
Вес	0.05г
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Стиль Корпуса Транзистора	SuperSOT
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность	1.6Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.026Ом
Напряжение Истока-стока Vds	-20В
Напряжение Измерения Rds(on)	-4.5В
Полярность Транзистора	P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	-1В
Непрерывный Ток Стока	-5.8А
Линейка Продукции	PowerTrench Series

FDC608PZ

FDC608PZ характеристики

Техническое описание