8 (800)  200-43-23 Перезвоните мне
Корзина
Нет товаров
Поиск товаров, например: BLM15BD102SN1D
Отправить заявку

FDN359AN



Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.

Доступно
По запросу
Срок поставки
Производитель

По запросу

Запросить


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


FDN359AN характеристики

МОП-транзистор, N Канал, 2.7 А, 30 В, 0.037 Ом, 10 В, 1.6 В Новинка.



The FDN359AN is a N-channel logic level MOSFET uses advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Suitable for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

  • Very fast switching
  • Low gate charge

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (27-Jun-2018)
Ничего не выбрано
Вес 0.03г
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора SuperSOT
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность 500мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.037Ом
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 1.6В
Непрерывный Ток Стока 2.7А
Линейка Продукции PowerTrench Series

Техническое описание

Вы можете купить FDN359AN от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену FDN359AN и наличие сообщим по вашему запросу.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры