BSS123L со склада от 7 дней, по запросу производства ON SEMICONDUCTOR

МОП-транзистор, N Канал, 170 мА, 100 В, 2.98 Ом, 10 В, 1.405 В Новинка.

The BSS123L is produced using high cell density trench MOSFET technology. This minimizes on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. The BSS123L is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor controller, power MOSFET gate drivers, logic level transistorss, high speed line drivers, power management/power supply and switching applications.

High density cell design for low on-resistance
Rugged and reliable
Very low capacitance
Fast switching speed

SVHC (Особо Опасные Вещества)	No SVHC (27-Jun-2018)	Ничего не выбрано
Вес	0г
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность	360мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	2.98Ом
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	1.405В
Непрерывный Ток Стока	170мА

BSS123L

BSS123L характеристики

Техническое описание