SI2302DDS-T1-GE3

Доступно
По запросу
Срок поставки
Производитель

По запросу

Запросить


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


SI2302DDS-T1-GE3 характеристики

MOSFET, N-CH, 20V, 2.6A, 150DEG C, 0.71W.




SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Ничего не выбрано
Вес 0.05г
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Рассеиваемая Мощность 710мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.045Ом
Напряжение Истока-стока Vds 20В
Напряжение Измерения Rds(on) 4.5В
Полярность Транзистора N Channel
Пороговое Напряжение Vgs 850мВ
Непрерывный Ток Стока 2.6А

Техническое описание

Вы можете купить SI2302DDS-T1-GE3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену SI2302DDS-T1-GE3 и наличие сообщим по вашему запросу.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры