FGB5N60UNDF

Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке и получить баллы.

Доступно

1600 шт

Срок поставки

4 недели

Цена

включает НДС

Производитель

ON SEMICONDUCTOR

Количество

Цена ₽/шт

Добавить в корзину 1600 шт. на сумму 173.25 ₽

В корзину

FGB5N60UNDF характеристики

БТИЗ транзистор, 10 А, 1.9 В, 73.5 Вт, 600 В, TO-263AB, 3 вывод(-ов).

SVHC (Особо Опасные Вещества)	Lead (27-Jun-2018)	Ничего не выбрано
Вес	1г
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность	73.5Вт
DC Ток Коллектора	10А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.9В
Напряжение Коллектор-Эмиттер	600В

Вы можете купить FGB5N60UNDF от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 1600 штук. Цена FGB5N60UNDF зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 173.25 руб.

Похожие товары

Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры