BUL45D2G от 87.47 рублей со склада от 7 дней, по запросу производства ON SEMICONDUCTOR

Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 13 МГц, 75 Вт, 5 А, 10 hFE.

The BUL45D2G is a NPN state-of-art high speed high gain Bipolar Power Transistor (H2BIP) with high dynamic characteristics and lot-to-lot minimum spread 150ns on storage time makes it ideally suitable for light ballast applications. It offers extremely low storage time minimum/maximum guarantees due to the H2BIP structure which minimizes the spread.

Low base drive requirement
Integrated collector-emitter free wheeling diode
Fully characterized and guaranteed dynamic VCE(sat)
6 Sigma process providing tight and reproducible parameter spreads

SVHC (Особо Опасные Вещества)	To Be Advised	Ничего не выбрано
Вес	1г
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220
Рассеиваемая Мощность	75Вт
Полярность Транзистора	NPN
DC Ток Коллектора	5А
Напряжение Коллектор-Эмиттер	400В
DC Усиление Тока hFE	10hFE
Частота Перехода ft	13МГц

BUL45D2G

BUL45D2G характеристики

Техническое описание