NXH80T120L2Q0S2G

Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке и получить баллы.

Доступно

24 шт

Срок поставки

4 недели

Цена

включает НДС

Производитель

ON SEMICONDUCTOR

Количество

Цена ₽/шт

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 15696.45 ₽

В корзину

NXH80T120L2Q0S2G характеристики

БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 67 А, 2.35 В, 158 мВт, 1.2 кВ, PIM.

SVHC (Особо Опасные Вещества)	To Be Advised	Ничего не выбрано
Вес	0.1г
Количество Выводов	20вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Стиль Корпуса Транзистора	PIM
Рассеиваемая Мощность	158мВт
Полярность Транзистора	N Канал
DC Ток Коллектора	67А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	2.35В
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ

Вы можете купить NXH80T120L2Q0S2G от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 24 штук. Цена NXH80T120L2Q0S2G зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 11985.63 руб.

Похожие товары

Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры