NXH80B120H2Q0SG

Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке и получить баллы.

Доступно

20609 шт

Срок поставки

4 недели

Цена

включает НДС

Производитель

ON SEMICONDUCTOR

Количество

Цена ₽/шт

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 16287.81 ₽

В корзину

NXH80B120H2Q0SG характеристики

БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 40 А, 2.2 В, 103 Вт, 1.2 кВ, PIM.

SVHC (Особо Опасные Вещества)	To Be Advised	Ничего не выбрано
Вес	0.1г
Количество Выводов	22вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Стиль Корпуса Транзистора	PIM
Рассеиваемая Мощность	103Вт
Полярность Транзистора	N Канал
DC Ток Коллектора	40А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	2.2В
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ

Вы можете купить NXH80B120H2Q0SG от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 20609 штук. Цена NXH80B120H2Q0SG зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 7532.91 руб.

Похожие товары

Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры