IRG4PH50UPBF

Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.

IRG4PH50UPBF характеристики

БТИЗ транзистор, 45 А, 3.2 В, 200 Вт, 1.2 кВ, TO-247AC, 3 вывод(-ов).

The IRG4PH50UPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor optimized for high operating frequencies up to 40kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode. The new IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations. It is optimized for power conversion, SMPS, UPS and welding.

High switching frequency capability than competitive IGBTs
High efficiency
Much lower conduction losses than MOSFETs
More efficient than short-circuit rated IGBTs

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества)	No SVHC (27-Jun-2018)	Ничего не выбрано
Вес	4.08г
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247AC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность	200Вт
DC Ток Коллектора	45А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	3.2В
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ

Техническое описание

IRG4PH50UPBF скачать
Pdf, 6.13 KB

Вы можете купить IRG4PH50UPBF от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену IRG4PH50UPBF и наличие сообщим по вашему запросу.

Похожие товары

Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры