IRG4PC50SPBF

Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.

IRG4PC50SPBF характеристики

БТИЗ транзистор, 70 А, 1.62 В, 200 Вт, 600 В, TO-247AC, 3 вывод(-ов).

The IRG4PC50SPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies (<1kHz). The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3.

Optimized for specific application conditions
Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества)	No SVHC (27-Jun-2018)	Ничего не выбрано
Вес	4.08г
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247AC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность	200Вт
DC Ток Коллектора	70А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.62В
Напряжение Коллектор-Эмиттер	600В