MRFE6VS25NR1

Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.

Доступно

По запросу

Срок поставки

Производитель

NXP

По запросу

Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽

MRFE6VS25NR1 характеристики

РЧ полевой транзистор, 133 В DC, 1.8 МГц, 2000 МГц, TO-270.

The MRFE6VS25NR1 is a N-channel RF Power LDMOS Transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using Freescale's enhanced ruggedness platform and is suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.

High ruggedness
Enhancement-mode lateral MOSFET
Wide operating frequency range
Extreme ruggedness
Unmatched, capable of very broadband operation
Integrated stability enhancements
Low thermal resistance
Extended ESD protection circuit

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества)	To Be Advised	Ничего не выбрано
Вес	0.3г
Количество Выводов	2вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	225°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 3 - 168 часов
Максимальная Рабочая Частота	2000МГц
Напряжение Истока-стока Vds	133В DC
Минимальная Рабочая Частота	1.8МГц
Корпус РЧ Транзистора	TO-270

Техническое описание

MRFE6VS25NR1 скачать
Pdf, 4.65 KB

Вы можете купить MRFE6VS25NR1 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену MRFE6VS25NR1 и наличие сообщим по вашему запросу.

Похожие товары

Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры