8 (800)  200-43-23 Перезвоните мне
Корзина
Нет товаров
Поиск товаров, например: GRM155R71C104JA88D
Отправить заявку

BF510,215



Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.

Запросить


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


BF510,215 характеристики

ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), 20 В, 3 мА, 700 мкА, 800 мВ, SOT-23, JFET.



Asymmetrical N-channel planar epitaxial junction field-effect transistors in the miniature plastic envelope intended for applications up to the v.h.f. range in hybrid thick and thin-film circuits. Special features are the low feedback capacitance and the low noise figure. These features make the product very suitable for applications such as the r.f. stages in f.m. portables (BF510), car radios (BF511) and mains radios (BF512) or the mixer stage (BF513).

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (27-Jun-2018)
Ничего не выбрано
Вес 0.3г
Количество Выводов 3 Вывода
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Пробоя Vbr 20В
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min) 3мА
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max) 700мкА
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off) 800мВ
Тип Транзистора JFET

Техническое описание

Вы можете купить BF510,215 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену BF510,215 и наличие сообщим по вашему запросу.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры