FF200R12KE3HOSA1

Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке и получить баллы.

Доступно

6 шт

Срок поставки

4 недели

Цена

включает НДС

Производитель

INFINEON

Количество

Цена ₽/шт

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 29205.33 ₽

В корзину

FF200R12KE3HOSA1 характеристики

БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 295 А, 1.7 В, 1.05 кВт, 1.2 кВ, Module.

FF200R12KE3, SP000100735

SVHC (Особо Опасные Вещества)	No SVHC (27-Jun-2018)	Ничего не выбрано
Вес	18.6г
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Рассеиваемая Мощность	1.05кВт
Полярность Транзистора	N Канал
DC Ток Коллектора	295А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.7В
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ

Вы можете купить FF200R12KE3HOSA1 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 6 штук. Цена FF200R12KE3HOSA1 зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 25245.53 руб.

Похожие товары

Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры

Сопутствующие товары

SEMIKRON

БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 313 А, 1.8 В, 1.2 кВ, Module

от 42896.92 ₽

+7250 на ваш счёт

SEMIKRON

БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 313 А, 1.8 В, 1.2 кВ, Module

от 34351.9 ₽

+6496 на ваш счёт

SEMIKRON

БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 311 А, 1.75 В, 1.2 кВ, Module

от ₽

+0 на ваш счёт