NIS5112D2R2G

Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке и получить баллы.

Доступно

3 шт

Срок поставки

4 недели

Цена

включает НДС

Производитель

onsemi

Количество

Цена ₽/шт

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 713.66 ₽

В корзину

NIS5112D2R2G характеристики

Электронный предохранитель, N-канальный FET высокой стороны, 9В до 18В питание, SOIC-8.

описание

SVHC (Особо Опасные Вещества)	No SVHC (27-Jun-2018)	Ничего не выбрано
Вес	0.1г
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Минимальная Рабочая Температура	-40°C
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 3 - 168 часов
Максимальное Напряжение Питания	18В
Минимальное Напряжение Питания	9В
Функция Микросхемы	Электронный Предохранитель
Тип Корпуса ИС	SOIC

Вы можете купить NIS5112D2R2G от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 3 штук. Цена NIS5112D2R2G зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 310.46 руб.

Похожие товары

Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры