NGTB40N120S3WG

Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке и получить баллы.

Доступно

118 шт

Срок поставки

4 недели

Цена

включает НДС

Производитель

ON SEMICONDUCTOR

Количество

Цена ₽/шт

1+ 1432.64
10+ 1134.98
100+ 917.18

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1432.64 ₽

Авторизуйтесь и получите кэшбэк 214 баллов

В корзину

Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽

NGTB40N120S3WG характеристики

БТИЗ транзистор, 160 А, 1.7 В, 454 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов).

The NGTB40N120S3WG features a robust and cost effective Ultra Field Stop trench construction that provides superior performance in demanding switching applications, offering low switching losses. This IGBT is well suited to applications requiring fast switching with low forward voltage diodes, such as phase-shifted full bridge configurations. Built in free wheeling diode with a low forward voiltage.

Extremely efficient trench with Field Stop Technology
175°C max operating temperature
Optimised for high speed siwtching
Low forward voltage reverse diode

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества)	No SVHC (27-Jun-2018)	Ничего не выбрано
Вес	0.02г
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Рассеиваемая Мощность	454Вт
DC Ток Коллектора	160А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.7В
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ

Вы можете купить NGTB40N120S3WG от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 118 штук. Цена NGTB40N120S3WG зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 917.18 руб.

Похожие товары

Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры