8 (800)  200-43-23 Перезвоните мне
Корзина
Нет товаров
Поиск товаров, например: ERJ3EKF7501V
Отправить заявку

SISS23DN-T1-GE3



Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.

Доступно
По запросу
Срок поставки
Производитель

По запросу

Запросить


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


SISS23DN-T1-GE3 характеристики

МОП-транзистор, P Канал, -50 А, -20 В, 0.0035 Ом, -4.5 В, 900 мВ.




SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (20-Jun-2016)
Ничего не выбрано
Вес 0.43г
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора PowerPAK 1212
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность 57Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0035Ом
Напряжение Истока-стока Vds -20В
Напряжение Измерения Rds(on) -4.5В
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs 900мВ
Непрерывный Ток Стока -50А
Линейка Продукции TrenchFET Series

Техническое описание

Вы можете купить SISS23DN-T1-GE3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену SISS23DN-T1-GE3 и наличие сообщим по вашему запросу.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры