8 (800)  200-43-23 Перезвоните мне
Корзина
Нет товаров
Поиск товаров, например: GRM033R71A103KA01D
Отправить заявку

SI3459BDV-T1-GE3



Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке и получить баллы.

Доступно
По запросу
Срок поставки
Производитель

По запросу

Запросить


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


SI3459BDV-T1-GE3 характеристики

МОП-транзистор, P Канал, -2.9 А, -60 В, 0.18 Ом, -10 В, -3 В.




SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (20-Jun-2016)
Ничего не выбрано
Вес 0.13г
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора TSOP
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность 3.3Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.18Ом
Напряжение Истока-стока Vds -60В
Напряжение Измерения Rds(on) -10В
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs -3В
Непрерывный Ток Стока -2.9А
Линейка Продукции TrenchFET Series

Техническое описание

Вы можете купить SI3459BDV-T1-GE3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену SI3459BDV-T1-GE3 и наличие сообщим по вашему запросу.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры