Отправить заявку
Доступно
По запросу
Срок поставки
Производитель
SIA433EDJ-T1-GE3
Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.
По запросу
Альтернативное предложение
Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽
SIA433EDJ-T1-GE3 характеристики
МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -20 В, 0.015 Ом, -4.5 В, -1.2 В.
The SIA433EDJ-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, battery switch and charger switch applications.
- New thermally enhanced PowerPAK® package
- Small footprint area
- Low ON-resistance
- 100% Rg tested
- Built in ESD protection with Zener diode
- 1800V ESD performance
- Halogen-free
подробнее
Техническое описание
SIA433EDJ-T1-GE3 скачать
Pdf, 8.83 KB
Вы можете купить SIA433EDJ-T1-GE3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.
Цену SIA433EDJ-T1-GE3 и наличие сообщим по вашему запросу.
Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры
Сопутствующие товары
