SI7635DP-T1-GE3

Доступно
По запросу
Срок поставки
Производитель

По запросу

Запросить


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


SI7635DP-T1-GE3 характеристики

МОП-транзистор, P Канал, -40 А, -20 В, 0.004 Ом, -10 В, -2.2 В.



The SI7635DP-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and adaptor/battery switch applications.

  • 100% Rg tested
  • Halogen-free
  • -55 to 150°C Operating temperature range

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Ничего не выбрано
Вес 0.24г
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора PowerPAK SO
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность 54Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.004Ом
Напряжение Истока-стока Vds -20В
Напряжение Измерения Rds(on) -10В
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs -2.2В
Непрерывный Ток Стока -40А
Линейка Продукции TrenchFET Series

Вы можете купить SI7635DP-T1-GE3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену SI7635DP-T1-GE3 и наличие сообщим по вашему запросу.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры
Сопутствующие товары
МОП-транзистор, P Канал, -50 А, -30 В, 0.0042 Ом, -10 В, -2.5 В
от 94.5 ₽
+85050 на ваш счёт
МОП-транзистор, P Канал, -50 А, -30 В, 0.0042 Ом, -10 В, -2.5 В
от 94.5 ₽
+85050 на ваш счёт