8 (800)  200-43-23 Перезвоните мне
Корзина
Нет товаров
Поиск товаров, например: RC0603JR-071K6L
Отправить заявку

SI4214DDY-T1-GE3



Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.

Запросить


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


SI4214DDY-T1-GE3 характеристики

Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 8.5 А, 30 В, 0.016 Ом, 10 В, 2.5 В.



The SI4214DDY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for notebook system power and low current DC-to-DC converter applications.

  • Halogen-free
  • TrenchFET® power MOSFET

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Ничего не выбрано
Вес 0.26г
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора SOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность 3.1Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.016Ом
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Полярность Транзистора Двойной N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.5В
Непрерывный Ток Стока 8.5А
Линейка Продукции TrenchFET Series

Техническое описание

Вы можете купить SI4214DDY-T1-GE3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену SI4214DDY-T1-GE3 и наличие сообщим по вашему запросу.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры