IRLR2908TRLPBF со склада от 7 дней, по запросу производства INFINEON

The IRLR2908TRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET® power MOSFET is a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.

Advanced process technology
Ultra-low ON-resistance
Dynamic dV/dt rating
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Logic level

SVHC (Особо Опасные Вещества)	No SVHC (27-Jun-2018)	Ничего не выбрано
Вес	0.47г
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 3 - 168 часов
Рассеиваемая Мощность	120Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0225Ом
Напряжение Истока-стока Vds	80В
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Непрерывный Ток Стока	39А
Линейка Продукции	HEXFET Series

IRLR2908TRLPBF

IRLR2908TRLPBF характеристики