Отправить заявку
Доступно
По запросу
Срок поставки
По запросу
Производитель
IRL60B216
Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.
Альтернативное предложение
Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽
IRL60B216 характеристики
МОП-транзистор, N Канал, 195 А, 60 В, 0.0015 Ом, 10 В, 2.4 В.
The IRL60B216 is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-DC converters and DC-to-AC inverters. It is optimized for logic level drive.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
- Halogen-free
подробнее
Вы можете купить IRL60B216 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.
Цену IRL60B216 и наличие сообщим по вашему запросу.
Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры
Сопутствующие товары
