DS1230Y-100+



Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


DS1230Y-100+ характеристики

NVSRAM, 256K, FULLY STATIC, 1230.



The DS1230Y-100+ is a 256k Non-volatile SRAM is 262,144-bit, fully static, non-volatile SRAMs organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to prevent data corruption. DIP-package DS1230 devices can be used in place of existing 32k x 8 static RAMs directly conforming to the popular byte wide 28-pin DIP standard. The DIP devices also match the pinout of 28256 EEPROMs, allowing direct substitution while enhancing performance. There is no limit on the number of write cycles that can be executed and no additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.

подробнее

Количество Выводов 28вывод(-ов)
Ничего не выбрано
Минимальная Рабочая Температура 0°C
Максимальная Рабочая Температура 70°C
Упаковка Поштучно
Максимальное Напряжение Питания 5.5В
Минимальное Напряжение Питания 4.5В
Размер Памяти 256Кбит
Тип Интерфейса ИС Параллельный
Время Доступа 100нс
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти DIP
Конфигурация Памяти NVRAM 32К x 8бит

Вы можете купить DS1230Y-100+ от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 119 штук. Цена DS1230Y-100+ зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 8117.85 руб.