DS1220AD-200IND+

Запросить




DS1220AD-200IND+ характеристики

NON-VOLATILE SRAM, 16KBIT, 200NS, EDIP24.



The DS1220AD-200IND+ is a 16K non-volatile SRAM in 24 pin EDIP package. This 16,384bit fully static non-volatile SRAM is organized as 2048 words by 8 bits. It has self contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out of tolerance condition. During such condition occurs, the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to prevent data corruption. Lithium energy source is electrically disconnected to retain freshness until power is applied for the first time. The NV SRAM can be used in place of existing 2K x 8 SRAMs directly conforming to popular bytewide 24 pin DIP package. The device also matches the pin-out of 2716 EPROM and 2816 EEPROM allowing direct substitution while enhancing performance. There is no limit on number of write cycles that can be executed and additional support circuitry is not required for microprocessor interfacing.

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Ничего не выбрано
Количество Выводов 24вывод(-ов)
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Упаковка Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Максимальное Напряжение Питания 5.5В
Минимальное Напряжение Питания 4.5В
Размер Памяти 16Кбит
Тип Интерфейса ИС -
Время Доступа 200нс
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти EDIP
Конфигурация Памяти NVRAM 2К x 8бит

Вы можете купить DS1220AD-200IND+ от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену DS1220AD-200IND+ и наличие сообщим по вашему запросу.