8 (800)  200-43-23 Перезвоните мне
Корзина
Нет товаров
Поиск товаров, например: CC0402JRNPO9BN100
Отправить заявку

C2M0025120D



Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке и получить баллы.

Доступно
118 шт
Срок поставки
4 недели
Цена
включает НДС
Производитель
Количество
Цена ₽/шт


  • 1+ 22129.8
  • 30+ 18139.28

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 22129.8 ₽

+
-
В корзину


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


C2M0025120D характеристики

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 90 А, 1.2 кВ, 0.025 Ом, 20 В, 2.4 В.



The C2M0025120D from Cree is a 2nd generation Z-FET, through hole N channel silicon carbide power MOSFET in TO-247 package. This MOSFET features C2M SiC MOSFET technology, high blocking voltage with low on resistance, high speed switching with low capacitances, easy to parallel and simple to drive, avalanche ruggedness, resistant to latch up, higher system efficiency, reduced cooling requirements and increased power density. Applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC-DC converters and battery chargers.

подробнее

Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) -
Рассеиваемая Мощность 463Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.025Ом
Напряжение Истока-стока Vds 1.2кВ
Напряжение Измерения Rds(on) 20В
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.4В
Непрерывный Ток Стока 90А

Техническое описание

Вы можете купить C2M0025120D от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 118 штук. Цена C2M0025120D зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 18139.28 руб.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры