SI2369DS-T1-GE3

Доступно
57968 шт
Срок поставки
4 недели
Цена
включает НДС
Производитель
Количество
Цена ₽/шт


  • 1+ 152.46
  • 100+ 60.82
  • 1000+ 41.37
  • 6000+ 32.3

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 152.46 ₽

+
-
В корзину


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


SI2369DS-T1-GE3 характеристики

МОП-транзистор, P Канал, -7.6 А, -30 В, 0.024 Ом, -10 В.



The SI2369DS-T1-GE3 is a P-Channel 30V Power MOSFET with ±20V gate source voltage. It works on Trench MOSFET® technology.


Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (15-Jun-2015)
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность 2.5Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.024Ом
Напряжение Истока-стока Vds -30В
Напряжение Измерения Rds(on) -10В
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs -
Непрерывный Ток Стока -7.6А

Техническое описание

Вы можете купить SI2369DS-T1-GE3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 57968 штук. Цена SI2369DS-T1-GE3 зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 32.3 руб.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры